合作交流

随着半导体器件的小型化、高频化，功率密度也随之升高，这对半导体器件的散热要求大大的提高了。不良散热会降低半导体器件的可靠性乃至失效。因此，半导体材料与界面的导热，不仅富含物理问题，也是应用上的难题。报告将详细介绍本课题组近期在微纳米尺度导热的进展。主要讨论在半导体技术上比较重要的金属-半导体界面的非弹性声子输运和半导体材料中的声子-位错散射的问题以及窄禁带钙钛矿材料BaTiS3 中的原子隧穿对声子的散射。