合作交流

主流半导体集成电路技术遵循摩尔定律发展，通过缩减硅基互补型金属氧化物半导体（CMOS）场效应晶体管的尺寸，不断升级技术节点，实现集成电路的性能和集成度的提升。集成电路的发展还有其他模式，比如增强抗辐照能力，满足航天航空、核工业等特殊应用场景。近年来航天事业的蓬勃发展，特别是深空探测的兴起，对抗辐照芯片提出了更高的要求，使得传统抗辐照集成电路技术发展面临巨大挑战。碳纳米管（CNT）具有优异的电学性能、准一维晶格结构、化学稳定性好、机械强度高等特点，有望成为下一代集成电路半导体沟道材料，推动未来电子学的发展。并且，碳纳米管具有强碳-碳共价键、纳米尺度横截面积、低原子数等特点，有望用来发展新一代超强抗辐照集成电路技术。本次报告，将围绕CNT材料的制备及集成电路的设计，主要介绍近期在CNT抗辐照器件和集成电路方面的研究进展。