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III族氮化物具有禁带宽度大、击穿电压高、电子饱和漂移速度大等优异特性，在LED、激光器以及高频器件中具有极大的应用价值。其主要是异质外延生长在蓝宝石衬底表面，但是蓝宝石与III族氮化物之间存在较大的晶格与热膨胀失配，使得外延层中存在很大的应力与较高的位错密度，严重降低器件性能。近年来研究发现，石墨烯作为外延生长缓冲层，有望解决衬底与外延薄膜之间大晶格与热膨胀失配导致的高应力与高位错密度问题，获得高品质薄膜。本次报告将介绍报告人利用化学气相沉积的方法，成功地实现了蓝宝石表面高品质石墨烯薄膜的控制生长，获得了一种新型外延衬底—石墨烯/蓝宝石衬底；并阐明III族氮化物在该新型衬底上的生长机理，总结其对氮化物质量与器件性能提升的作用。